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webadm | 投稿日時: 2006-7-24 5:28 |
Webmaster 登録日: 2004-11-7 居住地: 投稿: 3084 |
シミュレーターは正しかった 実を言うと先のNMOS FETの1MHzでのスイッチング出力波形がおかしいのは事前にシミュレーターで既に見ていた。
その時はFETのモデルが不適切なのだろうとそれ以上調べなかったが、実は正しかったのだった。 元々大きな電流を流せるNMOS FETの場合はチャネル面積を増やしてON時の抵抗を少なくしているが、反面飽和時に大きな容量性効果を生み出してしまう。 LSIの内部のMOS FETは電流は流す必要が無いので最小限のチャネル面積だけなので容量効果も少なく高速にスイッチする。 はたしてどうすればいいのか。とりあえず他のFETも評価してみよう。 |
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